直流負壓濺射和直流濺射有什么區別

直流負壓濺射和直流濺射  在直流濺射中，帶正電的離子被吸引到接地的、帶負電的濺射靶上，從靶材上濺射出原子，然后這些原子在樣品（也稱(chēng)為襯底）上沉積形成薄膜。通常情況下，濺射靶被接到正極，而樣品端（襯底）被接到負極或接地。
  

   然而，有些情況下（如反濺射或偏壓濺射），樣品端會(huì )被接到正極以吸引多余的離子，從而實(shí)現清潔襯底表面或形成離子轟擊確保薄膜和基底的結合強度。這種電源連接方式可以提高薄膜的層內應力，改善其結晶性能，以及提高薄膜沉積效率。

   這種操作需要一定的注意事項，因為樣品端上高電壓可能會(huì )導致放電，影響設備的穩定性和薄膜的質(zhì)量，還有可能對樣品造成損壞。根據具體的設備設計和操作要求，可能需要在樣品端和電源之間添加一個(gè)抗電弧裝置來(lái)降低這種風(fēng)險。