不銹鋼真空腔體功能劃分及作用

　　不銹鋼真空腔體功能劃分集中，主要為生長(cháng)區，傳樣測量區，抽氣區三個(gè)部分。對于分子束外延生長(cháng)腔，重要的參數是其中心點(diǎn)A的位置，即樣品在生長(cháng)過(guò)程中所處的位置。所以蒸發(fā)源，高能電子衍射（RHEED）槍?zhuān)吣茈娮友苌淦?，晶體振蕩器，生長(cháng)擋板，CCD，生長(cháng)觀(guān)察視窗的法蘭口均對準中心點(diǎn)。

　　蒸發(fā)源：由鎢絲加熱盛放生長(cháng)物質(zhì)的堆塌，通過(guò)熱偶絲測量溫度，堆鍋中的物質(zhì)被加熱蒸發(fā)出來(lái)，在處于不銹鋼真空腔體中心點(diǎn)的襯底上外延形成薄膜。每個(gè)蒸發(fā)源都有其各自的蒸發(fā)源擋板控制源的開(kāi)閉，可以長(cháng)出多成分或成分連續變化的薄膜樣品。

　　高能電子衍射敏RHEED）高能電子衍射是常用的判斷襯底及薄膜樣品單晶程度的方法。高能電子衍射槍發(fā)出電子沿著(zhù)需要觀(guān)察的薄膜晶向掠入射在高能電子衍射屏涂有熒光粉）上形成電子衍射條紋。高能電子衍射槍和屏夾角約180度，連線(xiàn)經(jīng)過(guò)中心點(diǎn)。因為薄膜為二維結構，所以其單晶晶格在倒易空間中表現為一系列的倒易棒，高能電子在倒易空間中表現為一個(gè)半徑很大的球面。兩者相切，即得到一系列平行的衍射條紋，間距由薄膜的晶格常數決定。這樣的高能電子衍射條紋，就可以證明樣品的單晶程度是否良好。

　　晶體振蕩器：晶體振蕩器是分子束外延生長(cháng)的定標設備。定標時(shí)，待蒸發(fā)源蒸發(fā)速度穩定后，將石英振蕩器置于中心點(diǎn)。通過(guò)讀出石英振蕩器振蕩頻率的變化，可以知道蒸發(fā)源在單位時(shí)間內在襯底上長(cháng)出薄膜的厚度。有的不銹鋼真空腔體將晶振放在樣品架放置樣品位置的反面（如小腔），在新腔體的設計中獨立設計了水冷晶振的法蘭口，用一個(gè)直線(xiàn)運動(dòng)裝置（Linear Motion）控制晶振的伸縮。

　　生長(cháng)擋板：生長(cháng)擋板通過(guò)在蒸發(fā)源和樣品之間的靜態(tài)或動(dòng)態(tài)遮擋，可以在同一塊襯底上生長(cháng)出特殊幾何圖形或者多種不同厚度的薄膜樣品。