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上海實(shí)驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

上海實(shí)驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過(guò)反應氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單,與傳統CVD系統比較,生長(cháng)溫度更低,管輝光均勻等效,薄膜均勻沉積。

產(chǎn)品型號:
更新時(shí)間:2023-12-21
廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
訪(fǎng)問(wèn)量:1164

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品牌鄭科探應用領(lǐng)域電子

PECVD簡(jiǎn)介

   上海實(shí)驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應,從而實(shí)現薄膜材料生長(cháng)的一種新的制備技術(shù)。

  上海實(shí)驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過(guò)反應氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單,與傳統CVD系統比較,生長(cháng)溫度更低,管輝光均勻等效,薄膜均勻沉積。

上海實(shí)驗室PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積

KT-PE150S  性能

型號

KT-PE150S

KT-PE500Z

13.56MHz±0.005%

出范

0-150W

0-500W

功率穩定度

5W

射功

40W

出接

7/16,female  50 Ω

定度

5W

匹配方式

手動(dòng)調節匹配

500W自動(dòng)匹配

耦合方式

電感式耦合

輝光壓力

30Pa

50/60Hz 220v±10%

70%

強制風(fēng)冷

支持爐管直徑

φ25-φ80

φ25-φ150

感應區

210mm

48KG

:H x W x D(mm)

600 x 600x 1100



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