高溫高密度等離子體腔體

高溫高密度等離子體腔體是一種石英材料制成的封閉腔室，內部常常充滿(mǎn)等離子體氣體。等離子體是一種高溫、高密度的氣體，由帶正電荷的離子和帶負電荷的電子組成，具有導電性能。這種石英腔可以用于等離子體物理研究、等離子體加工技術(shù)以及材料表面改性等領(lǐng)域。

高溫高密度等離子體腔體可以有效地將等離子體與外界隔離，從而提高等離子體的純度和密度，同時(shí)保護外部設備不受等離子體的影響。例如，在半導體制造過(guò)程中，石英腔可以通過(guò)對氣體進(jìn)行高頻電場(chǎng)激勵來(lái)產(chǎn)生等離子體，用于蝕刻、沉積和表面改性等工藝。此外，石英腔還能保持良好的熱穩定性和耐腐蝕性，使其能夠在高溫、高壓和高氧化性的環(huán)境下，長(cháng)期運行。

電感耦合等離子（Inductively Coupled Plasma，ICP）和電容耦合等離子（Capacitively Coupled Plasma，CCP）是兩種廣泛用于實(shí)驗室中的等離子體源。它們的主要區別在于它們產(chǎn)生等離子體的機制和特點(diǎn)。

ICP是在高整流器運作的RF（射頻）電源提供的高頻RF（常見(jiàn)頻率是27.12 MHz）的作用下工作的，而這個(gè)RF電源將產(chǎn)生的高頻電場(chǎng)通過(guò)感應耦合傳送到氣體放電管（都柏林管）內。這種電場(chǎng)產(chǎn)生了交變電壓，導致氣體分子發(fā)生電離，產(chǎn)生了等離子體。ICP的優(yōu)點(diǎn)在于它可以產(chǎn)生非常高的電子溫度和較高的等離子體密度，并用于產(chǎn)生高靈敏度的熒光譜檢測。

另一方面，CCP是通過(guò)直接應用高頻電場(chǎng)在帶電片和反電極之間產(chǎn)生的交變電場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生等離子體的。這種電場(chǎng)使電極表面產(chǎn)生周期性的荷電狀態(tài)變化，從而促進(jìn)了等離子體的生成。CCP的優(yōu)點(diǎn)是其低能耗和簡(jiǎn)單的結構，但它通常只能產(chǎn)生低電子溫度和低等離子體密度的等離子體，因此在熒光譜檢測方面使用較少。

因此，這兩種等離子體產(chǎn)生技術(shù)在實(shí)驗室中都得到廣泛應用，并根據所需的特定應用和實(shí)驗室條件進(jìn)行選擇。

技術(shù)規格參數：

腔體材質(zhì)：鋁合金+石英玻璃

腔體尺寸：內徑110mmx深度220MM

腔體容積：2.5L

腔體觀(guān)察窗：內徑φ35   石英玻璃

腔體抽氣口：KF16

腔體進(jìn)氣口：6MM卡套

腔體真空度：機械泵小于等于0.5Pa