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技術(shù)文章

Technical articles

當前位置:首頁(yè)技術(shù)文章

  • 20204-28
    快速退火爐系統設計與實(shí)現

    快速退火爐是現代大規模集成電路生產(chǎn)工藝過(guò)程中的關(guān)鍵裝備主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結制作、生長(cháng)高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著(zhù)集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開(kāi)展快速退火爐系統的技術(shù)研究,對國內開(kāi)發(fā)和研究具有自主知識產(chǎn)權的快速退火爐裝備,有著(zhù)十分重要的理論意義和工程應用價(jià)值。本文針對現代半導體器件退火工藝對快速退火爐系統的技術(shù)要求,在綜合分析國內外各種快速退火爐系統技術(shù)基礎上,通過(guò)深入的分析研究,設計了系統總體技術(shù)方案。擬定采用燈光輻射型熱源裝置,上下兩排成正...

  • 20204-21
    PVD制備K型薄膜熱電偶的研究

    熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅固耐用,無(wú)自發(fā)熱現象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍三種PVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(E...

  • 20204-17
    掃描探針顯微鏡多功能組合探針系統研制

    掃描探針顯微鏡是目前一種用途廣泛的表面分析儀器,它不僅廣泛應用于物理、化學(xué)、生物、醫學(xué)等基礎研究領(lǐng)域,還在微納制造和微電子等的應用研究領(lǐng)域中發(fā)揮著(zhù)越來(lái)越重要的作用。然而,目前商業(yè)化的掃描探針顯微鏡主要為單一探針的工作模式,其功能相對單一,難以實(shí)現一些較為復雜的實(shí)驗及檢測功能。例如,在特殊環(huán)境下(如真空或輻射環(huán)境)的微觀(guān)磨損實(shí)驗中,若采用單一探針模式,在完成磨損實(shí)驗后,需要更換曲率半徑更小的針尖才能對表面磨損區域進(jìn)行原位的高分辨形貌掃描與觀(guān)測。然而,在更換針尖的過(guò)程中,微觀(guān)磨損...

  • 20204-17
    磁控濺射沉積系統設計

    針對光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問(wèn)題,設計了一種磁控濺射沉積系統,系統包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽(yáng)極清洗裝置。主要結論有:(1)在磁控濺射靶裝置設計中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達10-6Pa;采用旋轉磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時(shí)避免了靶裝置在預先清洗時(shí)的污染;設計了靶裝置的驅動(dòng)端,完成了電機、傳動(dòng)裝置和軸承的選型。(2)設計等離子體源來(lái)改善沉積系統離化率不足的問(wèn)題。選擇0.2mm鎢絲...

  • 20204-11
    探針臺精準控制關(guān)鍵技術(shù)研究

    集成電路自動(dòng)化裝備-探針臺是晶圓測試領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。由于晶圓片上晶粒很小,達到微米級,所以要求探針臺要保持很高的定位精度和運動(dòng)精度才能保證探針與晶粒的準確對針和測試。因此,本文主要研究的問(wèn)題是如何保證探針臺高精密控制,從而達到微米級定位要求。本文來(lái)自于國家02專(zhuān)項-面向12”晶圓片的全自動(dòng)探針臺關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺兩大部分-LOADER和PROBER的關(guān)鍵結構和運動(dòng)流程;其次,本文重點(diǎn)對預對位、Z軸升降、XY平臺三個(gè)關(guān)鍵部件的精準控制進(jìn)行研究,分析影響控制精度...

  • 20204-2
    基于真空探針臺的紅外焦平面自動(dòng)測試的關(guān)鍵技術(shù)研究

    紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著(zhù)廣闊的應用前景,因此備受各國重視,競相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。由于國外對紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來(lái)我國在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域取得了一些進(jìn)展,但很多方面還是遠遠落后于世界水平。因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)的研究進(jìn)度、減小研究周期、提升研究效率,降低研究及生產(chǎn)成本為目標,以紅外熱成像系統的核心部分非制冷紅外焦平面為基礎,研究紅外焦平面封裝前...

  • 20203-20
    PVD真空鍍膜技術(shù)知識問(wèn)答

    Q1:什么是PVD?真空電鍍加工真空鍍膜技術(shù)A1:PVD是英文PhysicalVaporDeposition的縮寫(xiě),中文意思是“物理氣相沉積”,是指在真空條件下,用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術(shù)。鄭州科探儀器設備有限公司新研發(fā)一款小型蒸鍍儀KT-Z1650DM是一款小型臺式加熱功率可控蒸發(fā)鍍膜儀,儀器雖小功能齊全,配備有電壓電流反饋,樣品臺旋轉,樣品高度調節,及電動(dòng)擋板功能。通過(guò)定時(shí)調節預熱功率及蒸發(fā)功率,可對大部分金屬進(jìn)行均勻蒸發(fā)沉積,真空腔室為透明石英玻璃...

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